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- Componente Óptico
- Matriz de fotodiodos chip
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Matriz de fotodiodos em GaAs XSJ-10-G5-70-K4PINchip
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Características
- Especificações
- PIN, em GaAs, chip
Descrição
Este chip de fotodiodo 4X10Gbps de alta taxa de dados é uma estrutura PIN iluminada por GaAs. As caraterísticas são alta responsabilidade, baixa capacitância, baixa corrente escura, tamanho da área ativa é Φ70μm, ânodo e almofada de ligação catódica na parte superior para ligação de fio de pacote TO-CAN, aplicação em transmissão de dados de canal de fibra, 10Gigabit Ethernet e comunicação multimodo etc.
1. Φ70μm área ativa.
2. Baixa capacitância e baixa corrente escura.
3. Alta responsabilidade.
4. Taxa de dados até 10Gbps.
5. Passo da matriz: 250μm
6. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
7. 100% de testes e inspeção.
Aplicações
1. recetor AOC (cabo ótico ativo) 10Gbps a 850nm.
2. Infiniband.
3. SONET/SDH
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