- Eletricidade - Eletrônica
- Componente Eletrônico
- Chip digital
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Chip digital XSJ-10-M-100-EIde fotodíodoInGaAsInP
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Características
- Especificações
- digital, de fotodíodo, InP, InGaAs
Descrição
Este chip de fotodiodo PIN de monitor InGaAs / InP iluminado por borda com grande área ativa, que é uma estrutura plana com ânodo e cátodo duplo na parte superior. O tamanho da área detetável da borda é 100μmX80μm e maior responsividade na região de comprimento de onda de 980nm a 1620nm. Aplicado para monitorar a saída de energia ótica da faceta traseira de vários LD, comunicações ópticas digitais FTTH e interconexão ótica.
1. Almofada de ligação NPN no topo.
2. Área detetável de borda: 100μmX80μm.
3. Alta responsabilidade.
4. Baixa corrente de escuridão.
5. Baixa tensão de polarização de funcionamento.
6. -faixa de operação de 40 ℃ a 85 ℃.
7. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação, conforme especificado pela Telcordia -GR-468-CORE.
8. 100% de testes e inspeção.
9. Satisfazem os pacotes não herméticos.
Aplicações
1. Monitorização da potência do laser de faceta posterior.
2. Comunicações ópticas digitais FTTH.
3. Interligação ótica.
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