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- Componente Óptico
- Matriz de fotodiodos chip
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Matriz de fotodiodos InGaAs XSJ-10-MA-100-KB2PINchip
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Características
- Especificações
- PIN, InGaAs, chip
Descrição
Este chip fotodiodo PIN de monitor de matriz InGaAs / InP 1X2 com grande área ativa, que é uma estrutura plana com ânodo e cátodo na parte superior, superfície incidente na parte traseira. Com o tamanho da área ativa iluminada por baixo é Φ100μm, e alta responsividade na região de comprimento de onda de 980nm a 1620nm.Principalmente aplicação no monitoramento da potência ótica.
1. Estrutura planar em substrato SI InP.
2. Iluminado na parte inferior: Φ100μm de área ativa.
3. matriz 1X2, passo da matriz: 500μm.
4. Alta responsabilidade.
5. Corrente escura baixa.
6. Ânodo e cátodo no topo, ligação de fios na frente.
7. -40℃ a 85℃ faixa de operação.
8 . Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação, conforme especificado pela Telcordia -GR-468-CORE.
9. 100% de testes e inspeção.
10. A dimensão personalizada do chip está disponível.
11. Compatível com RoHS2.0 (2011/65/EU).
Aplicações
1. Monitorização da potência ótica
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