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Matriz de fotodiodos XSJ-10-D6A-20-K4-750

matriz de fotodiodos
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Descrição

Descrição Este chip de fotodiodo 4X25Gbps Array 100Gbps, que é iluminado de topo e estrutura de mesa de alta taxa de dados do chip de fotodiodo digital PIN, o tamanho da área activa é Φ20μm. As suas características são alta, baixa capacitância, baixa corrente escura e excelente fiabilidade, principalmente em combinação com amplificadores de transimpedância de quad canais 4X25Gbps de alto desempenho (TIA), aplicação em aplicações de comprimento de onda longo, alta taxa de data até 4X25Gbps com receptor de fibra óptica monomodo. Características Φ20μm área activa. Estrutura da almofada de ligação Ground-Signal-Ground (GSG), matriz 4X25G. Baixa corrente escura, baixa capacitância, alta responsabilidade. Taxa de data: ≥ 25Gbps/channel. Passo de matriz: 750μm. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE. 100% de testes e inspecção Aplicações IEEE 100 Gigabit Ethernet. 100G ,CLR4,CLR4 ligações 100G(4X25Gbps). Modo único de datacom e telecomunicações. Transceptores, receptores e transponders de fibra óptica.

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