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- Matriz de fotodiodos chip
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Matriz de fotodiodos em GaAs XXSJ-10-G6A-35H-K4PINchip
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Características
- Especificações
- PIN, em GaAs, chip
Descrição
Este chip de fotodiodo PAM-4 de alta taxa de dados 4X28Gbps NRZ / 4X56Gbps é uma estrutura PIN de matriz 1x4 iluminada por GaAs. As caraterísticas são de alta responsabilidade, baixa capacitância e baixa corrente escura, o tamanho da área ativa é Φ35μm, o sinal e ambas as almofadas de ligação à terra são projetadas na parte superior do chip para fácil ligação de fios, aplicação em 850nm 4X28Gbps/4X56Gbps PAM-4 comunicação ótica de dados de curto alcance.
1. Φ35μm de área ativa.
2. Corrente escura baixa
3. Design de almofada de ligação terra-sinal-terra.
4. Passo da matriz: 250μm.
5. teste e inspeção a 100%.
6. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
7. Conformidade com RoHS2.0 (2011/65/EU).
Aplicações
1. 200G SR4
2. Comunicação paralela em fibra ótica multimodo
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