Matriz de fotodiodos InGaAs XSJ-10-MA-100-KB8
PINchip

Matriz de fotodiodos InGaAs - XSJ-10-MA-100-KB8 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - PIN / chip
Matriz de fotodiodos InGaAs - XSJ-10-MA-100-KB8 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - PIN / chip
Guardar nos favoritos
Comparar
 

Características

Especificações
PIN, InGaAs, chip

Descrição

Este chip de fotodiodo PIN de monitor de matriz InGaAs / InP 1X8 com grande área ativa, que é uma estrutura plana com ânodo e cátodo na parte superior, superfície incidente na parte traseira. Com o tamanho da área ativa iluminada por baixo é Φ100μm, e alta responsividade na região de comprimento de onda de 900nm a 1650nm. Principalmente aplicação no monitoramento da potência ótica. 1. Iluminado na parte inferior: @100um área ativa. 2. matriz 1X8, passo da matriz: 300um. 3. Alta responsabilidade. 4. Baixa corrente de escuridão. 5. Ânodo e cátodo no topo, soldadura eutéctica. 6. -gama de funcionamento de 40°C a 90°C. 7. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE. 8. 100% de testes e inspeção. 9. A dimensão personalizada do chip está disponível. 10. Compatível com RoHS2.0 (2011/65/EU). Aplicações 1. Monitorização da potência ótica.

---

Catálogos

Não estão disponíveis catálogos para este produto.

Ver todos os catálogos da PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.