- Eletricidade - Eletrônica
- Componente Eletrônico
- Chip de fotodíodo
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Chip PON XSJ-10-APD5-50P-Xde fotodíodo
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Características
- Especificações
- de fotodíodo, PON
Descrição
Este chip de fotodiodo de avalanche 10G (chip APD) é um tipo de eletrodo P na parte superior e eletrodo N na estrutura inferior, com o tamanho da área ativa iluminada no topo é Φ50μm. Este produto apresenta alta multiplicação, baixa capacitância, alta largura de banda, baixo coeficiente de temperatura e excelente confiabilidade, aplicação em recetor ótico 10G SONET / SDH e 10G PON.
1. Φ50μm de área ativa.
2. Alta multiplicação.
3. Baixo coeficiente de temperatura.
4. teste e inspeção a 100%.
5. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
6. Conformidade com RoHS2.0 (2011/65/EU).
Aplicações
1. 10G SONET/SDH.
2. 10G PON.
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