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- Fotodiodo InGaAs
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Fotodiodo InGaAs XSJ20R-453E-PFde avalanche
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Características
- Especificações
- InGaAs, de avalanche
Descrição
1. Fotodetector de avalanche InGaAs/InP de elevada resposta,
2. Elevada sensibilidade para um único fotão
3. Elevado ganho e baixo ruído
4. Gama de comprimentos de onda de 950nm a 1650nm,
5. embalagem coaxial de fibra monomodo 49/125/250um.
Aplicações
1. Radar laser e alcance laser
2. Comunicação ótica
3. Medição de fluorescência
4. Análise ambiental
5. Equipamento biomédico
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