Forno de campânula SiCube

de sublimaçãode crescimento de cristaisa gás

O sistema HTCVT / HTCVD foi especialmente concebido para o crescimento de cristais de carboneto de silício (SiC) por sublimação / decomposição térmica (pirólise) de gases fonte a altas temperaturas. Através da alta capacidade de vácuo, superfícies ultra limpas em relação à água e ao oxigênio podem ser alcançadas antes do início do processo. O projeto do sistema permite o uso de substratos (sementes) de até 4" de diâmetro. Especificações técnicas Tubo do reator pressão de operação: aprox. 5 - 900 mbar temperatura de funcionamento: máx. 2,600 °C Fonte de alimentação poder: máx. 80 kW frequência: 6 - 8 kHz Vantagens do HTCVD: material SiC de alta pureza ajuste da relação C/Si dopagem Vantagens da Sublimação: tecnologia bem conhecida cumpre os requisitos aplicáveis aos substratos de potência Aplicações - PFC (Conversor de Fator de Potência) - Inversores e Conversores para Tecnologia Híbrida - Inversor para Energia Solar - Eletrônica de Alta Frequência - Opto-eletrônico