Linha de processamento química InEtchSide 4

por via úmidapara célula solar

Gravação da face traseira da próxima geração com elevado rendimento O equipamento de processamento automatizado InEtchSide da RENA foi concebido para a remoção de camadas de óxido de silício e vidros dopados (por exemplo, PSG ou BSG) com um rendimento ultra elevado. O processo comprovado, optimizado e patenteado de gravação de um único lado assegura o menor ataque químico frontal. Este processo é utilizado no fabrico de conceitos de células solares de elevada eficiência, como IBC, PERC, TOPCon e outros. A ferramenta baseia-se na plataforma em linha RENA NIAK 4. Características e vantagens Gravação química húmida de uma só face totalmente automatizada - Em linha em 10-12 pistas Remoção de óxido de silício (SiO2) e vidros dopados (PSG/BSG) numa só face Tecnologia RENA Fast Etch: é possível o processamento a T > RT Utiliza HF para processamento de um lado (química adicional opcional, por exemplo, HCl ou BHF) Enxaguamento e secagem integrados dos wafers Longa vida útil do banho devido à função de alimentação e sangria A mais baixa taxa de quebra da indústria Baseado na mais recente plataforma de processamento em linha RENA NIAK 4 Elevado tempo de atividade Fácil manutenção Opções Interface MES (SECS/GEM) Armário de meios para abastecimento de produtos químicos Estação de bombagem de resíduos para drenagem de produtos químicos/águas residuais Sensores para controlo do processo (por exemplo, pH, condutividade) Áreas de aplicação Gravação de óxido na parte traseira para células solares de alta eficiência Remoção de SiO2, PSG ou BSG numa só face Totalmente compatível com a tecnologia PERC, IBC e TOPCon