Matriz de fotodiodos chip PA2100

matriz de fotodiodos chip
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Características

Especificações
chip

Descrição

tecnologia. Os fotodíodos são passivados com nitreto de silício, que actua como uma camada antirreflexo. São depois colados à placa de circuito impresso e protegidos com cola epóxi transparente. O Array pode ser utilizado em modo fotovoltaico ou fotocondutor. Características Disponível em quatro opções diferentes Comprimento de onda de pico a 830 nm Vantagens Elevada capacidade de resposta Baixa capacitância Adequado para SMT Elevada fiabilidade

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