O fotossensor é constituído por fotodíodos de 6 chips produzidos em tecnologia plana. Os fotodíodos são passivados com nitreto de silício, que actua como uma camada antirreflexo. São depois colados à placa de circuito impresso e protegidos com cola epóxi transparente. O Array pode ser utilizado em modo fotovoltaico ou fotocondutor.
Características
Elevada capacidade de reação
Baixa capacitância
Adequado para SMT
Elevada fiabilidade
Comprimento de onda de pico a 830 nm
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