Matriz de fotodiodos chip PA1001

Matriz de fotodiodos chip - PA1001 - RLS
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Características

Especificações
chip

Descrição

O fotossensor é constituído por fotodíodos de 6 chips produzidos em tecnologia plana. Os fotodíodos são passivados com nitreto de silício, que actua como uma camada antirreflexo. São depois colados à placa de circuito impresso e protegidos com cola epóxi transparente. O Array pode ser utilizado em modo fotovoltaico ou fotocondutor. Características Elevada capacidade de reação Baixa capacitância Adequado para SMT Elevada fiabilidade Comprimento de onda de pico a 830 nm

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Global Industrie 2025
Global Industrie 2025

11-14 mar 2025 Lyon (França) Stand 1M47

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    * Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.