SCT4026DW7 é uma vala SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao LIG, e velocidade de comutação rápida.
Vantagens da 4ª Geração do ROHM SiC MOSFET
Esta série tem cerca de 40% de redução na resistência e cerca de 50% de redução na perda de comutação em comparação com os produtos convencionais. A tensão da porta de 15V facilita a concepção da aplicação.
Baixa resistência
Velocidade de comutação rápida
Rápida recuperação inversa
Fácil de paralelizar
Simples de conduzir
Revestimento com chumbo sem Pb ; compatível com RoHS
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