Módulo MOSFET de comutação BV1HB045EFJ-C
para aplicações automotivas

Módulo MOSFET de comutação - BV1HB045EFJ-C - ROHM Semiconductor - para aplicações automotivas
Módulo MOSFET de comutação - BV1HB045EFJ-C - ROHM Semiconductor - para aplicações automotivas
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Características

Tipo
de comutação
Outras características
para aplicações automotivas
Corrente

21 A

Tensão

MÁX: 28 V

MÍN: 6 V

Descrição

O BV1HB045EFJ-C é um interrutor de lado alto de 1 canal para aplicação automóvel. Tem uma função de limite de sobrecorrente incorporada, função de proteção de desligamento térmico, função de deteção de carga aberta, função de saída-OFF de baixa potência. Tem uma função de deteção de corrente de carga de saída. Função de deteção de corrente incorporada Dupla TSD® incorporada (dois tipos de proteção contra a temperatura incorporada): Proteção da temperatura da junção e proteção ΔTj que detecta o aumento súbito da temperatura do Power-MOS) Qualificação AEC-Q100 (Grau 1) Função de proteção contra sobreintensidade incorporada (OCP) Função de proteção de paragem térmica integrada (TSD) Função de deteção de carga aberta incorporada Função integrada de desativação da saída de baixa tensão (UVLO) Saída de diagnóstico incorporada Interruptor MOSFET de Nch único de baixa resistência de ativação IC monolítico de gestão de energia com unidade de controlo (CMOS) e MOSFET de potência montados num único chip

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Power Management

* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.