Gate driver MOSFET BD2320EFJ-LA
IGBT

gate driver MOSFET
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Características

Especificações
MOSFET, IGBT

Descrição

Este é o produto que garante um apoio a longo prazo no mercado industrial. BD2320EFJ-LA é o condutor de alta e baixa voltagem máxima de 100V de alta e baixa voltagem que pode conduzir Nch-FET externo usando o método bootstrap. O condutor inclui um díodo de 100V de porta-bagagens e controlo independente de entradas para High-Side e Low-Side. 3.3V e 5.0V estão disponíveis para a tensão de interface. Os circuitos de bloqueio de tensão estão incorporados para o lado de Alta e Baixa Tensão. Produto de Apoio a Longo Prazo para Aplicações Industriais. Bloqueio por baixo de tensão (UVLO) para condutor de alta e baixa tensão 3.tensão de interface 3 V e 5.0 V Saída em fase com sinal de entrada

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Power Management

* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.