Módulo de díodo de junção PN RFN5BGE3S
SMDde comutaçãode recuperação rápida

Módulo de díodo de junção PN - RFN5BGE3S - ROHM Semiconductor - SMD / de comutação / de recuperação rápida
Módulo de díodo de junção PN - RFN5BGE3S - ROHM Semiconductor - SMD / de comutação / de recuperação rápida
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Características

Tipo de tecnologia
de junção PN
Montagem
SMD
Função
de comutação
Características técnicas
de recuperação rápida, em silício
Tensão direta

350 V

Tensão inversa

350 V

Descrição

RFN5BGE3S é o Diodo de Recuperação Rápida epitaxial de silício do tipo planar. Baixa perda de comutação Elevada capacidade de sobrecarga de corrente

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Catálogos

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