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Módulo de transistores MOSFET SCT2H12NY
de comutaçãode potênciaem silício

Módulo de transistores MOSFET - SCT2H12NY - ROHM Semiconductor - de comutação / de potência / em silício
Módulo de transistores MOSFET - SCT2H12NY - ROHM Semiconductor - de comutação / de potência / em silício
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Características

Tipo
MOSFET
Tipo
de comutação, de potência
Outras características
em silício
Corrente

4 A

Tensão

1.700 V

Descrição

MOSFET de potência de SiC (carboneto de silício) de canal N. Baixa resistência de ativação Velocidade de comutação rápida Longa distância de fuga sem condutor central Simples de acionar Revestimento de chumbo sem Pb; compatível com RoHS

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Tradução automática  (ver texto original em inglês)

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