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Módulo de transistores MOSFET HP8KC6
de comutaçãode instalação em superfíciepor resistência elétrica

Módulo de transistores MOSFET - HP8KC6 - ROHM Semiconductor - de comutação / de instalação em superfície / por resistência elétrica

Módulo de transistores MOSFET - HP8KC6 - ROHM Semiconductor - de comutação / de instalação em superfície / por resistência elétrica

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Características

Tipo: MOSFET
Tipo: de comutação
Outras características: de instalação em superfície, por resistência elétrica
Corrente: 23 A
Tensão: 60 V

Descrição

O HP8KC6 é um MOSFET de baixa resistência ideal para aplicações de comutação. CARACTERÍSTICAS: ♦ Baixa resistência ao ligar pequeno encapsulamento para montagem em superfície (HSOP8) revestimento de chumbo sem Pb; compatível com RoHS sem halogéneos

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Tradução automática (ver texto original em inglês)

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