Módulo de transistores IGBT RT25PI120B9H
de potência

Módulo de transistores IGBT - RT25PI120B9H - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de potência
Módulo de transistores IGBT - RT25PI120B9H - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de potência
Módulo de transistores IGBT - RT25PI120B9H - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de potência - imagem - 2
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Características

Tipo
IGBT
Tipo
de potência
Corrente

10 A, 25 A

Tensão

1.200 V

Descrição

Funcionalidades -Tecnologia Trench + Filed Stop IGBT Capacidade de curto-circuito de 10ps -Versât) com coeficiente de temperatura positivo -Caso de baixa indutância -Recuperação reversa rápida e suave antiparalela FWD -Base de cobre isolada usando tecnologia DBC Aplicações típicas -Inversor para acionamento do motor -Ar condição de ar -Fonte de alimentação ininterrupta

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* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.