Módulo de transistores IGBT RTS40FB120T5HB
de potência

Módulo de transistores IGBT - RTS40FB120T5HB - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de potência
Módulo de transistores IGBT - RTS40FB120T5HB - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de potência
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Características

Tipo
IGBT
Tipo
de potência
Corrente

40 A

Tensão

1.200 V

Descrição

-Circuito curto nominal>10jjs -Baixa tensão de saturação: Vce (sat) = 2.15V @ lc = 40A , Tc=25'C -Baixa perda por comutação -100% RBSOA Testado (2*lc>) -Baixa Indutância de Desvio -Livre de chumbo, em conformidade com o requisito RoHS Aplicações: -Inversores Industriais -Aplicações do reservatório

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