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Módulo de transistores IGBT RTS40FB120T5HB
de potência

módulo de transistores IGBT

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Características

Tipo: IGBT
Tipo: de potência
Corrente: 40 A
Tensão: 1.200 V

Descrição

-Circuito curto nominal>10jjs -Baixa tensão de saturação: Vce (sat) = 2.15V @ lc = 40A , Tc=25'C -Baixa perda por comutação -100% RBSOA Testado (2*lc>) -Baixa Indutância de Desvio -Livre de chumbo, em conformidade com o requisito RoHS Aplicações: -Inversores Industriais -Aplicações do reservatório

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Tradução automática (ver texto original em inglês)

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