Transistor IGBT RGW25N135F1A
de potência

Transistor IGBT - RGW25N135F1A - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de potência
Transistor IGBT - RGW25N135F1A - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de potência
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Características

Tipo
IGBT
Tipo
de potência
Corrente

25 A

Tensão

1.350 V

Descrição

Os IGBTs Rongtech Field Stop Trench Trench oferecem baixas perdas de comutação, alta eficiência energética e alta resistência à avalanche para aplicações de comutação suave, tais como aquecimento indutivo, forno microondas, etc. CARACTERÍSTICAS -Alta tensão de ruptura para 1350V para maior fiabilidade -Trench-Stop Technology offering : >Comutação de alta velocidade >Alta robustez, estável à temperatura > VcEsat BAIXO >Capacidade de comutação paralela fácil devido ao coeficiente positivo de temperatura em VcEsat -Formas de onda de desligamento de correnteSoft -Capacidade de avalanche aumentada VCE:1350A IC:25A VCE(SAT) IC=25A: 2.0V Aplicação: * Cozinha indutiva * Fornos microondas inverterizados * Conversores ressonantes * Aplicações de comutação suave * Aplicações de comutação suave

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* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.