- Eletricidade - Eletrônica
- Componente Eletrônico
- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Transistor IGBT RGW40N120F1Ade potência
Guardar nos favoritos
Comparar
Características
- Tipo
- IGBT
- Tipo
- de potência
- Corrente
40 A
- Tensão
1.200 V
Descrição
CARACTERÍSTICAS
-Alta tensão de ruptura até 1200V para maior confiabilidade
-Oferta de tecnologia Trench-Stop:
>Comutação de alta velocidade
>Alta robustez, temperatura estável
>VcEsat LENTO
>Capacidade de comutação paralela fácil devido ao coeficiente de temperatura positivo em
VcEsat
- Capacidade de avalanche aprimorada
APLICAÇÃO
-Fontes de alimentação ininterruptas
-Inversor solar
-Soldadura
-Aplicações PFC
---
VÍDEO
Catálogos
Outros produtos Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Discrete IGBT & Module power semi conductors
Pesquisas relacionadas
- Capacitor
- Díodo
- Módulo de transistores
- Capacitor cerâmico
- Capacitor SMD
- Capacitor de filme
- Capacitor de potência
- Capacitor de corrente
- Díodo de retificação
- Díodo de tensão
- Módulo de transistores de potência
- Capacitor de tensão
- Díodo em silício
- Díodo de alta tensão
- Capacitor cilíndrico
- Capacitor eletrolítico
- Módulo de transistores de comutação
- Capacitor para fonte de alimentação chaveada
- Capacitor autorreparável
- Dissipador de calor
* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.