- Eletricidade - Eletrônica
- Componente Eletrônico
- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Transistor IGBT RGW40N120T1Bde potência
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tipo
- de potência
- Corrente
40 A
- Tensão
1.200 mV
Descrição
CARACTERÍSTICAS
-Alta tensão de ruptura até 1200V para maior confiabilidade
-Oferta de tecnologia Trench-Stop:
>distribuição de parâmetros muito apertada
>Alta robustez, comportamento estável à temperatura
>Tempo de resistência de curto circuito - 1 Ops
>Alta robustez, temperatura estável
>Baixo VcE(SAT)
>Capacidade de comutação paralela fácil devido ao coeficiente de temperatura positivo em
VcE(SAT)
-Capacidade de avalanche melhorada
APLICAÇÃO
- Conversores de frequência
- Motor Drive
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Catálogos
Outros produtos Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Discrete IGBT & Module power semi conductors
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* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.