Módulo de transistores IGBT RTU50HF120FA1
de potência

Módulo de transistores IGBT - RTU50HF120FA1 - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de potência
Módulo de transistores IGBT - RTU50HF120FA1 - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de potência
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Características

Tipo
IGBT
Tipo
de potência
Corrente

50 A

Tensão

1.200 V

Descrição

Características: -1200V50A,VCE(sat)(tip.)=3.0V Velocidade de comutação ultra-rápida Excelente robustez em curto-circuito -Módulo de meia ponte de 34 mm Aplicações Gerais: Os IGBTs da Rongtech oferecem velocidade de comutação ultra-rápida para aplicações como soldagem, aquecimento indutivo, UPS e outras aplicações de alta frequência

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Catálogos

RTU50HF120FA1
RTU50HF120FA1
7 Páginas
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