RVS20N65F/S/PN é um MOSFETs de alta tensão em modo de aprimoramento de canal N produzido usando a tecnologia DP MOS da Rongtech. Atinge baixa perda de condução e perdas de comutação. Ele leva os engenheiros de projeto a seus conversores de energia com alta eficiência, alta densidade de energia e comportamento térmico superior. Além disso, é de aplicação universal, ou seja, adequado para topologias de comutação duras e suaves.
CARACTERÍSTICAS
♦20A, 650V, RosT,)=0.2i2@VGS=10V
♦New tecnologia revolucionária de alta tensão
♦Ultra baixo custo do portão
♦Periodic avalanche rated
♦Extreme dv/dt rated
♦High capacidade de pico de corrente
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