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MOSFET em silício RM40N10PK

MOSFET em silício - RM40N10PK - Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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Características

Material
em silício

Descrição

Este MOSFETs da Rongtech Industry(ShangHai) Inc., tecnologia avançada de 6 polegadas para alcançar um RDS(on) extremamente baixo de drenagem estática para fonte em resistência. Por este motivo, este MOSFETs tem um baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a fiabilidade e durabilidade. Característica: VDS=100V,ID=40A Rdson≦42mΩ @VGS=10V (Typ:32mΩ) Área de Operação Segura Alargada Baixa capacidade de transferência inversa teste de energia de avalanche de pulso único a 100% Aplicação -Aplicação de comutação de energia -DC Controlo Automóvel - UPS

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Tradução automática  (ver texto original em inglês)

Catálogos

RM40N10PK
RM40N10PK
5 Páginas

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