- Eletricidade - Eletrônica
- Componente Eletrônico
- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Módulo de transistores IGBT RT200TL65A8H-S09de comutação
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tipo
- de comutação
Descrição
Características:
- Portão de paragem de campo IGBT
- Valor de curto-circuito>10ps
- - Baixa Tensão de Saturação
- Baixa perda por comutação
- 100% RBSOA Tested (2*lc)
- Baixa Indutância de Rajada
- Livre de chumbo, em conformidade com os requisitos RoHS
- Solução de montagem com pinos de sinal PressFIT e terminais de potência de parafuso
Aplicações:
- - Accionamentos motorizados
- - Aplicações solares
- - Sistemas UPS
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Discrete IGBT & Module power semi conductors
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* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.