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Módulo de transistores IGBT RT75HF120T1VH-M
de comutação

módulo de transistores IGBT

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Características

Tipo: IGBT
Tipo: de comutação

Descrição

Características: - Paragem de Campo Gâte Gâte IGBT - Valor de curto-circuito> 1Ops - Baixa Voltagem de Saturação - Baixa perda por comutação - 100% RBSOA Tested (2*lc) - Baixa Indutância de Rajada - Livre de chumbo, em conformidade com os requisitos RoHS Aplicações: - Máquina de Soldar " Máquina de Corte - Alimentação da chapa* Aquecimento por indução - SMPS, UPS

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