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- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Módulo de transistores IGBT RT75HF120T1VH-Mde comutação
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tipo
- de comutação
Descrição
Características:
- Paragem de Campo Gâte Gâte IGBT
- Valor de curto-circuito> 1Ops
- Baixa Voltagem de Saturação
- Baixa perda por comutação
- 100% RBSOA Tested (2*lc)
- Baixa Indutância de Rajada
- Livre de chumbo, em conformidade com os requisitos RoHS
Aplicações:
- Máquina de Soldar " Máquina de Corte
- Alimentação da chapa* Aquecimento por indução
- SMPS, UPS
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Discrete IGBT & Module power semi conductors
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