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Módulo de transistores IGBT RTS600HF120T9H
de comutação

módulo de transistores IGBT

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Características

Tipo: IGBT
Tipo: de comutação

Descrição

Características: - Valor de curto-circuito> 10ps - Baixa Voltagem de Saturação: Vce(sat) = 1 -85V @ le = 600A , Tc=25'C - Baixa perda por comutação - 100% RBSOA Testado - (2*lc) - Baixa Indutância de Rajada - Sem chumbo, Compilante com requisitos RoHS Aplicações: - Conversores de alta potência - Accionamentos motorizados - Sistemas UPS - Turbinas Eólicas

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Tradução automática (ver texto original em inglês)

Catálogos

RTS600HF120T9H IGBT Module

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