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Módulo de transistores IGBT RT50PI120T6H-M
de comutação

módulo de transistores IGBT

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Características

Tipo: IGBT
Tipo: de comutação

Descrição

Características: - Paragem de Campo Gâte Gâte IGBT - Valor de curto-circuito> 1Ops - Baixa Voltagem de Saturação - Baixa perda por comutação - 100% RBSOA Testado - (2x|c) - Baixa Indutância de Rajada - Livre de chumbo. Compilante com RoHS Requirement Aplicações: - Inversores industriais - Aplicações de servos

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