Máquina de deposição de camadas finas PD-1022/UD

Películas de silício amorfo intrínseco e dopado. Processos Os gases precursores ionizados depositam películas finas num substrato. - Ignição RF rápida com o mínimo de potência de reflexão para uma deposição de película uniforme e estável. - Alimentação múltipla madura e estável em tecnologia RF compatível mesmo com câmaras de processo de grandes dimensões. - Gás contínuo ajustável entre o difusor e o substrato, proporcionando possibilidades de processo flexíveis. - Elevado rendimento com um custo relativamente baixo, com capacidade de conceção de produtos personalizados. - Design modularizado para fácil instalação e manutenção, juntamente com o mais elevado protocolo de segurança desde o design até ao fabrico.