Fonte de plasma CVD

PVDpara tratamento de superfícies

RF Atom Source para oxigênio atômico e nitrogênio atômico Perdas de energia minimizadas devido ao design otimizado A zona de descarga é fabricada com materiais de alta qualidade, garantindo uma contaminação mínima da viga Configuração de corrente de ião zero como padrão O crescimento de materiais compostos de alta qualidade requer, idealmente, espécies neutras e atômicas. Considerando que os gases moleculares, como o oxigénio ou o azoto, apresentaram ordens de grandeza menos reactivas do que se dissociadas na forma atómica. Portanto, a formação de óxido usando oxigênio molecular normalmente requer temperaturas altamente elevadas e/ou longos períodos de oxidação, enquanto o nitrogênio molecular mostra quase nenhuma reatividade para muitos materiais. Assim, as espécies dissociadas estão aumentando a reatividade em muitas ordens de grandeza e, portanto, permitem que óxidos ou nitretos sejam cultivados a baixa pressão e a temperaturas razoáveis do substrato. No entanto, as espécies iónicas geradas em processos de plasma tendem a ser energéticas e, possivelmente, a criar defeitos pontuais. Por outro lado, as espécies atómicas transportam uma energia cinética negligenciável e, por conseguinte, permitem um crescimento rápido da película sem gerar defeitos.