Reator de processo ESY–10/S

tubularcombinado

Reactor LPE, desenvolvido para os Requisitos Especiais de Crescimento de Semicondutores Compostos II-VI. MCT HgCdTe-Epitaxy para Aplicações de Imagem Térmica. LPE-Equipamento para Tecnologias II-VI O Reactor LPE ESY-10/S Concept foi desenvolvido pela SOF Optoelectronics para os requisitos especiais de LPE-Growth of II-VI Compound Semiconductors tais como HgCdTe. A sua elevada capacidade de 200cm² por processo epitaxial, combinada com o seu material de cadinho único e design para homogeneização de fusão, são as principais características deste equipamento, que está a operar com sucesso em todo o mundo em várias aplicações Em adição ao forno padrão ESY-10/S para uso industrial e de I&D, podem ser realizadas soluções concebidas pelo cliente com muitas opções. O ESY-10/S pode ser perfeitamente complementado com um Sistema de Forno de Recozimento independente integrado. Uma caixa de luvas de carregamento de azoto selada permite ao operador carregar e descarregar os tubos do forno sob atmosfera protectora Forno de LPE - Destaques técnicos Forno combinado de um ou dois tubos com LPE vertical e tubo de quartzo de recozimento 3 Zonas de Aquecimento para Epitáxia e 1 Zona de Aquecimento independente para Hg-Source Hg-Vapor-Source dentro do Tubo do Forno Temperaturas até 750°C Precisão de regulação de temperatura: ± 0.5 °C Adequado para Wafers até 49 cm² Até 6 Wafers por Processo Epitaxial Crescimento Perfeito da Camada Fácil remoção do sólido derretido após o processo Protecção da superfície das bolachas antes e depois da Epi-Growth Processamento totalmente automático controlado por computador Registo de dados de todos os Parâmetros de Processo Carregamento Fechado - Caixa de luvas com N2-Atmosfera O Princípio de Funcionamento da Unidade de Equipamentos de LPE é a Tecnologia da Epitaxia de Fase Líquida (LPE) utilizando uma Técnica de Mergulho em Barco Rotativo