Cabeça de laser de alta performance SNG-50F-100Q switchpor impulso curtode estado sólido
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Características
- Modo de funcionamento
- Q switch, por impulso curto
- Tecnologia
- de estado sólido
- Espectro
- verde
- Aplicações
- de instrumentação, para espectroscopia Raman, para transformação de material, para semicondutor, de marcação, LiDAR, de forte potência
- Outras características
- compacta, de alta performance, refrigerada a ar, de alta potência, Nd:YAG, bombeada por díodo
- Potência
0,043 W, 2.000 W
- Comprimento de onda
532 nm
Descrição
O SNG-50F foi desenvolvido para alargar os limites da versão SNG-20F. O seu desenho especial permite uma potência média 3x superior de 150 mW e uma duração de impulso mais curta...O SNG-50F faz parte das gerações mais avançadas da Série Microchip concebida para uma potência média superior. Este laser produz primeiro impulsos de 1064nm que são directamente gerados a partir do motor de microchip Nd:YAG de díodo bombeado passivamente por Q-switched. Uma segunda fase de geração harmónica produz a radiação de 532 nm com uma qualidade de feixe e vida útil muito boas.
O SNG-50F distingue-se nas aplicações de reparação de UAV Lidar e PCB devido ao seu formato compacto, leve e de boa fiabilidade.
Os lasers de microchip são também fáceis de operar e de manutenção; os controladores podem ser utilizados com cada modelo de cabeça laser e trocados em minutos, mantendo ao mesmo tempo parâmetros de funcionamento constantes.
CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS
> Família: MicroChip
> Energia/Pulso: 1,25 µJ
> Taxa de repetição: 50 kHz
> Disparado: não
> frequência única: não
> Duração do pulso: 650 ps
> Pacote: SNxII
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