Amplificador para laser

RFópticodigital

Litografia UVE como impulsionador para a era digital A litografia UVE vence a corrida do método de produção dos microchips do futuro. O setor de semicondutores por muitos anos buscou um processo de baixo custo e adequado para produção em série, com o qual fosse possível fazer a radiação de estruturas ainda menores em wafers de silício. A parceria entre a ASML, Zeiss e a TRUMPF resultou no desenvolvimento de uma tecnologia de luz ultravioleta extrema (UVE) com um comprimento de onda de 13,5 nanômetros para o uso industrial: em uma câmara de vácuo, um gerador de gotas lança 50.000 gotas de estanho mínimas por segundo. Cada uma dessas gotas é atingida por um dos 50.000 pulsos de laser e se transforma em plasma. Com isso é formada a luz UVE, direcionada ao wafer a ser radiado por meio de espelho. O pulso de laser para a radiação de plasma é fornecido por um dos sistemas laser de CO2 de pulso desenvolvidos pela TRUMPF - o TRUMPF Laser Amplifier. De poucos Watt até 40 Kilowatt O TRUMPF Laser Amplifier potencializa um pulso de laser sequencialmente em mais de 10.000 vezes. Eficiente e seguro Com a emissão de um pulso inicial e um pulso principal, a potência total do Laser Amplifier pode ser transferida para as gotas de estanho. Nova aplicação para laser de CO2 A base do sistema laser de alta potência é um laser de CO2 em operação de onda contínua. Com isso, a TRUMPF cria uma nova aplicação para a tecnologia. Grande rede de especialistas Na colaboração estreita de anos, a TRUMPF, ASML e ZEISS deixaram a tecnologia UVE pronta para o uso industrial.