Transformador de isolamento T60403-Fxxx series
secopara IGBTpara gate driver MOSFET

transformador de isolamento
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Características

Tipo
de isolamento
Estrutura
seco
Aplicações
para IGBT, para gate driver MOSFET
Outras características
compacto, de baixas perdas
Potência elétrica

0 kVA
(0 hp)

Tensão primária

0 V

Tensão secundária

0 V

Descrição

TRANSFORMADORES DRIVOS PARA IGBT - VOLTAGEM DE INSULTAÇÃO 600 Vrms a 2000 Vrms Nos últimos anos, a electrónica de potência teve uma influência decisiva na tecnologia de produção, distribuição e conversão de energia eléctrica. Os semicondutores modernos permitem que a energia elétrica seja controlada e convertida de forma rápida e segura com baixas perdas. Os principais factores que contribuem para o progresso neste domínio são os semicondutores de potência de desactivação, como os IGBTs (transístores bipolares de porta isolada), os MOSFETs (transístores de efeito de campo de semicondutores de óxido metálico) e os GTOs (tirístores de desactivação de porta). Os produtos VAC contribuem significativamente para manter a eficiência e a segurança na comutação de semicondutores e na transmissão de energia de baixa perda. Frequências de comutação mais altas, maiores tensões de bloqueio e potência de comutação influenciam a forma como um semicondutor é ativado e controlado para permitir uma comutação segura e simples. Os transformadores de acionamento garantem a separação galvânica, fornecendo também o sinal de comutação e/ou a energia para o circuito de acionamento de semicondutores.

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