Fonte de feixe de elétrons UNI-Bulb®

Fonte de Plasma UNI-Bulb RF para Oxigênio, Nitrogênio e Hidrogênio Otimizar a produção de dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos Obtenha condições ideais para o crescimento do GaN de materiais eletrônicos e optoeletrônicos, além de estabilidade e reprodutibilidade inigualáveis do plasma, a partir da Fonte de Plasma Uni-Bulb RF da Veeco. O tubo de entrada de gás PBN de peça única e o bulbo de plasma combinados com a bobina RF coaxial dupla para excelente acoplamento de potência e remoção de calor. Várias opções de design, incluindo placas de abertura personalizadas, estão disponíveis para o desempenho do GaNenhance ainda mais. Descrição do produto Um plasma gasoso é uma ferramenta eficaz para a conversão de gases-fonte altamente estáveis, como N2 ou H2, em espécies atómicas e moleculares mais activas, adequadas para o crescimento de MBE. O Veeco UNI-Bulb possui um tubo de entrada de gás PBN de uma peça patenteada e uma lâmpada de plasma para eliminar fugas de gás à volta do bulbo. O plasma resultante é altamente estável e reprodutível, permitindo muitas horas de tempo de execução sem reajuste da fonte. As placas de abertura intercambiáveis estão disponíveis em configurações de condutância de gás variável para o crescimento de GaN, materiais mistos As/N, doping de nitrogênio, limpeza de hidrogênio e crescimento assistido por hidrogênio. O projeto do furo de saída minimiza o conteúdo de íons no feixe, enquanto as espécies neutras ativas (atômica e molecular) são direcionadas para o substrato. Placas de abertura de alta uniformidade personalizadas estão disponíveis para a maioria dos sistemas MBE comerciais, permitindo uma uniformidade típica de ±1%.