Máquina de deposição MOCVD Propel™ Power

de camadas finas

Tecnologia de reator de bolha única para habilitar dispositivos de energia eficientes e baseados em GaN O sistema MOCVD Power GaN da Veeco foi concebido especificamente para a indústria da electrónica de potência. Apresentando uma plataforma de um único reator de wafer, capaz de processar wafers de seis e oito polegadas, o sistema deposita filmes GaN de alta qualidade para a produção de dispositivos eletrônicos de potência altamente eficientes. O reactor single-wafer é baseado no design TurboDisc® líder da Veeco com tecnologia inovadora, incluindo as novas tecnologias IsoFlange™ e SymmHeat™ que fornecem fluxo laminar homogéneo e perfil de temperatura uniforme em todo o wafer. Os clientes podem facilmente transferir processos dos sistemas Veeco K465i™ e MaxBright™ para a plataforma Propel Power GaN MOCVD. Excelente uniformidade do filme, rendimento e desempenho do dispositivo Apresenta longos períodos de campanha e baixos defeitos de partículas para um rendimento e flexibilidade excepcionais Ciclos rápidos de aprendizagem aceleram a transição do GaN-on-Si R&D para a fabricação de alto volume Design modular para facilidade de configuração, operação e manutenção