Detector com semicondutor PVMI-2TE-8
dinâmicoIVcompacto

detector com semicondutor
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Características

Tecnologia
com semicondutor, dinâmico, IV
Outras características
compacto, robusto, de refrigeração termoelétrica

Descrição

2.0 - 9,8 µm, dois estágios de resfriamento termoelétrico, imerso opticamente, junção múltipla O PVMI-2TE-8 é um detector de junção múltipla fotovoltaica IR de dois estágios refrigerado termicamente, baseado na sofisticada heteroestrutura HgCdTe para o melhor desempenho e estabilidade, imerso opticamente, a fim de melhorar os parâmetros do dispositivo. O detector é otimizado para o máximo desempenho em λopt = 8.0 μm. É especialmente útil como detector de grande área ativa operando na faixa espectral de 2,0 a 9,8 µm. Janela com revestimento anti-reflexo (wZnSeAR) de 3° de selenieto de zinco em cunha, previne efeitos de interferência indesejados. Aplicações: - Gama espectral de 2,0 a 9,8 µm - Dois estágios de resfriamento termoelétrico - Tecnologia de microlentes de hiperhemiimersão aplicada - Não é necessário preconceito - Não há ruído 1/f - Sensível à polarização da radiação IR Parâmetro: PVMI-2TE-8 Material: MCT Tipo: Junção múltipla Imersão: Imersão Refrigeração: Duas etapas Comprimento de onda/ λopt/ µm: 8 Pacote: TO8, TO66 Janela: revestida com ZnSe AR em cunha Detectivity/ D∗/ ≥2/ cm⋅Hz1/2⋅W-1: ≥2,0x109 Constante de tempo/τ/ns: ≤4

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Catálogos

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* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.