Detector de índice refrativo PCI-4TE-10,6
ópticocom semicondutordinâmico

Detector de índice refrativo - PCI-4TE-10,6 - Vigo System - óptico / com semicondutor / dinâmico
Detector de índice refrativo - PCI-4TE-10,6 - Vigo System - óptico / com semicondutor / dinâmico
Detector de índice refrativo - PCI-4TE-10,6 - Vigo System - óptico / com semicondutor / dinâmico - imagem - 2
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Características

Mensurando
de índice refrativo
Tecnologia
óptico, com semicondutor, dinâmico, hemisférico, IV
Outras características
compacto, robusto, de comprimento de ondas, de refrigeração termoelétrica

Descrição

1.0 - 12,0 µm, refrigerado termoelectricamente em quatro estágios, imerso opticamente O PCI-4TE-10.6 é um detector fotocondutor IR de quatro estágios de resfriamento termoelétrico baseado na sofisticada heteroestrutura HgCdTe para o melhor desempenho e estabilidade, imerso opticamente a fim de melhorar os parâmetros do dispositivo. O detector é otimizado para o máximo desempenho em λopt = 10,6 μm. O comprimento de onda de corte é limitado pela transmitância de GaAs (~0,9 µm). O dispositivo deve funcionar em modo de leitura de tensão e corrente de polarização óptima. O desempenho em baixas frequências é reduzido devido ao ruído 1/f. A janela de 3° de selenieto de zinco revestido (wZnSeAR) evita efeitos de interferência indesejados. Características: - Alto desempenho na faixa espectral de 1,0 - 12,0 µm - Refrigeração termoelétrica em quatro estágios - Tecnologia de microlentes de hiperhemiimersão aplicada - Longa vida útil e MTBF - Estabilidade e confiabilidade - 1/f ruído Parâmetro: PCI-4TE-10,6 Material: MCT Tipo: Fotocondutivo Imersão: Imersão Refrigeração: Em quatro etapas Comprimento de onda/ λopt/ µm: 10,6 Pacote: TO8, TO66 Janela: revestida com ZnSe AR em cunha Detectivity/ D∗/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1: ≥3,0x109 Constante de tempo/ τ/ ns: ≤30

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