Detector com semicondutor PVM-2TE-10,6
dinâmicoIVcompacto

detector com semicondutor
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Características

Tecnologia
com semicondutor, dinâmico, IV
Outras características
compacto, robusto, de refrigeração termoelétrica

Descrição

2.0 - 13,0 µm, dois estágios de resfriamento termoelétrico, junção múltipla O PVM-2TE-10.6 é um detector de junção múltipla fotovoltaica IR de dois estágios refrigerado termicamente baseado na sofisticada heteroestrutura HgCdTe para o melhor desempenho e estabilidade. O detector é otimizado para o máximo desempenho em λopt = 16.6 μm. É especialmente útil como detector de grande área ativa operando na faixa espectral de 2,0 a 13,0 µm. Janela com revestimento anti-reflexo (wZnSeAR) de 3° de selenieto de zinco em cunha, previne efeitos de interferência indesejados. Aplicações: - Faixa espectral de 2,0 a 13,0 µm - Grande área activa de 1×1 mm^2 a 3×3 mm^2 - Dois estágios de resfriamento termoelétrico - Não é necessário preconceito - Não há ruído 1/f - Sensível à polarização da radiação IR Parâmetro: PVM-2TE-10,6 Material: MCT Tipo: Junção múltipla Imersão: Não imersão Refrigeração: Duas etapas Comprimento de onda/ λopt/ µm: 10,6 Pacote: TO8, TO66 Janela: revestida com ZnSe AR em cunha Detectivity/ D∗/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1: ≥1,0x108 Constante de tempo/ τ/ ns: ≤3

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Catálogos

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* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.