Detector com semicondutor PVMI-2TE-10,6

IVcompactorobusto

2.0 - 13:0 µm, dois estágios de resfriamento termoelétrico, imerso opticamente, junção múltipla PVMI-2TE-10.6 é um detector de junção múltipla fotovoltaica IR de dois estágios refrigerado termicamente, baseado na sofisticada heteroestrutura HgCdTe para o melhor desempenho e estabilidade, imerso opticamente, a fim de melhorar os parâmetros do dispositivo. O detector é otimizado para o máximo desempenho em λopt = 10.6 μm. É especialmente útil como detector de grande área ativa operando na faixa espectral de 2,0 a 13,0 µm. Janela com revestimento anti-reflexo (wZnSeAR) de 3° de selenieto de zinco em cunha, previne efeitos de interferência indesejados. Aplicações: - Alcance espectral de 2,0 a 12,0 µm - Dois estágios de resfriamento termoelétrico - Tecnologia de microlentes de hiperhemiimersão aplicada - Não é necessário preconceito - Não há ruído 1/f - Sensível à polarização da radiação IR Parâmetro: PVMI-2TE-10,6 Material: MCT Tipo: Junção múltipla Imersão: Imersão Refrigeração: Duas etapas Comprimento de onda/ λopt/ µm: 10,6 Pacote: TO8, TO66 Janela: revestida com ZnSe AR em cunha Detectivity/ D∗/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1: ≥1,0x109 Constante de tempo/τ/ns: ≤3