Fototransistor IGBT H11 seriesde comutaçãoSMDem GaAs
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tipo
- de comutação
- Outras características
- em silício, SMD, em GaAs
- Corrente
50,5 A, 60 A, 75 A
- Tensão
MÍN: 32 V
MÁX: 300 V
Descrição
Optoacoplador, saída de fototransistor, com conexão de base, alta tensão BVCEO
CARACTERÍSTICAS
Tensão de rutura do coletor-emissor muito elevada BVCEO
Tensão de teste de isolamento: 5000 VRMS
Baixa capacitância de acoplamento
APLICAÇÕES
Telecomunicações
Controlos industriais
Equipamento alimentado por bateria
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