Gate driver IGBT VO series
MOSFET

gate driver IGBT
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Características

Especificações
IGBT, MOSFET

Descrição

O controlador MOSFET fotovoltaico LH1262CB, LH1262CAC consiste em dois LEDs acoplados opticamente a dois conjuntos de fotodíodos. O conjunto de fotodíodos fornece uma fonte flutuante com tensão e corrente adequadas para acionar transístores MOSFET de alta potência. O acoplamento ótico proporciona uma elevada tensão de isolamento de E/S. Para desligar o MOSFET, é necessária uma resistência externa (porta-fonte) para a descarga da porta. CARACTERÍSTICAS - Elevada tensão de circuito aberto - Corrente de curto-circuito elevada - Tensão de teste de isolamento 5300 VRMS - Entrada compatível com a lógica - Elevada fiabilidade APLICAÇÕES - Controlador de lado alto - Relés de estado sólido - Fonte de alimentação flutuante - Controlo de potência - Aquisição de dados - ATE - Comutação isolada

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