Díodo de junção PN

de roscarde potênciade tensão

Os sistemas de energia de reserva requerem, por vezes, a utilização de baterias. Por exemplo, para colocar o sistema em funcionamento enquanto a bateria principal está descarregada. Quando as correntes são baixas, isto é feito facilmente usando um simples díodo. No entanto, quando as correntes se tornam mais significativas, a dissipação de energia num díodo aumenta rapidamente para níveis inaceitáveis devido à inevitável tensão de avanço do díodo. Para não mencionar que esta tensão de avanço desperdiça entre 5 e 10 por cento da energia disponível (de uma bateria de 12V). Por este motivo, foi concebido este bloco ativo de díodos "ideais". O díodo é substituído por um mosfet de alta corrente. Sem tensão de funcionamento, este mosfet comporta-se como um díodo normal. Após a aplicação de tensão, o driver do mosfet é ativado. O controlador ativa o mosfet e regula a tensão de avanço para 30mV (30 vezes menos do que um díodo normal típico), ou para a tensão mais baixa que pode ser atingida tendo em conta o consumo de corrente e a resistência Rds do mosfet. Esta resistência provoca uma tensão de avanço de cerca de 1mV por Ampère. Desempenho: Para contextualizar isto, os fios de 16mm² e os seus terminais na configuração de teste de 60A causam uma queda de tensão de 85 e 95mV respetivamente! A queda de tensão através do díodo, medida nos parafusos dos terminais, foi de 73mV. Especificações: Tensão inversa nominal 40V Corrente nominal 600A Encapsulamento SOT-227 (pegada 25x38mm) Terminais de parafuso M4 adequados para terminais de anel de 4 mm e 5 mm Isolamento elétrico para base metálica 2500VAC, 1 minuto Resistência térmica de junção à caixa metálica (RθJC) 0,21°C/W () * Resistência térmica da junção ao ambiente (RθJA) ~20°C/W () * Temperatura máxima da junção 175°C Tensão mínima de funcionamento 8VDC Resistência da fonte de drenagem (Rds) 0,001Ω