Sistema de teste de fator de capacidade

para semicondutoresMOSFETmodular

Sistema de ensaio das caraterísticas C-V de dispositivos semicondutores de potência As medições de capacitância-tensão (C-V) são amplamente utilizadas para medir parâmetros de semicondutores, especialmente estruturas MOS CAP e MOSFET. A capacitância da estrutura MOS (metal-óxido-semicondutor) é uma função da tensão aplicada. A curva da capacitância MOS que varia com a tensão aplicada é designada por curva C-V (referida como caraterística C-V). O ensaio da curva C-V permite determinar facilmente a espessura da camada de dióxido de silício dox, a concentração de dopagem do substrato N, a densidade da superfície de carga móvel Q1 na camada de óxido, a densidade da superfície de carga fixa Qfc e outros parâmetros. -Ampla gama de frequências: a gama de frequências é de 10Hz~1MHz, e os pontos de frequência contínua contínua são ajustáveis; -Alta precisão e ampla gama: fornecendo uma gama de polarização de 0V a 3500V, com uma exatidão de 0.1%; -Teste CV incorporado: Software de teste CV automatizado incorporado, incluindo múltiplas funções de teste -como C-V (Capacitância-tensão), C-T (Capacitância-tempo), C-F (Capacitância-frequência), etc; -Compatível com ensaios IV: suporta ensaios de caraterísticas de corrente de rutura e de fuga ensaios; -Desenho de curvas em tempo real: A interface do software mostra diretamente os dados de ensaio e as curvas para facilitar a visualização; -Forte escalabilidade: O sistema adopta um design modular e pode ser adaptado de forma flexível de acordo com as necessidades;