A cerâmica BN-AlN é fabricada através da sinterização de pó de nitreto de boro (BN) e nitreto de alumínio (AIN). Possui um excelente isolante elétrico, condutividade térmica, elevada resistência, resistência ao choque térmico e forte resistência ao plasma de gás halogéneo, que oferece uma vasta gama de aplicações, incluindo componentes para equipamento de produção de semicondutores e componentes que requerem uma dissipação de calor eficaz.
A fonte de iões é um dispositivo que cria iões atómicos e moleculares, que se encontra na câmara de vácuo. O compósito de nitreto de alumínio/nitreto de boro tem excelente isolante elétrico, condutividade térmica, capacidade de vedação ao vácuo e não liberta muito gás. Por isso, desempenha um papel de dissipador de calor e de placa de transferência térmica nas fontes de iões.
Vantagens do material:
Elevada resistência mecânica.
Elevada condutividade térmica.
Baixa expansão térmica.
Baixa perda dieléctrica.
Excelente isolamento elétrico.
Elevada resistência à corrosão - não é molhada por metais fundidos.
Excelente maquinabilidade - o BN-AlN pode ser maquinado em formas complexas de alta precisão.
Tem uma excelente capacidade de vedação a vácuo e não liberta muitos gases.
Propriedades de onda de alta frequência, permitem a passagem fácil de luz infravermelha visível.
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