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Transistores MOSFET Infineon
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{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Corrente: -16,4 A
Tensão: -60 V
... MOSFETs de canal P em nível normal e lógico, reduzindo a complexidade do projeto em aplicações de média e baixa potência Os MOSFETs OptiMOS™ de canal P de 60V em pacote DPAK representam a nova tecnologia ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 40 A
Tensão: 40 V
... MOSFETs de potência OptiMOS™ 6 que combinam o melhor RDS(on) da sua classe com um desempenho de comutação superior A família OptiMOS™ 6 power MOSFET 40V é otimizada para uma variedade de aplicações e ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 61 A
Tensão: 600 V
... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 61 A
Tensão: 600 V
... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 61 A
Tensão: 600 V
... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 20 A
Tensão: 600 V
... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 18 A
Tensão: 600 V
... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 9 A
Tensão: 600 V
... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 101 A
Tensão: 600 V
... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 101 A
Tensão: 600 V
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