Transistores MOSFET Infineon

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transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPD900P06NM

Corrente: -16,4 A
Tensão: -60 V

... MOSFETs de canal P em nível normal e lógico, reduzindo a complexidade do projeto em aplicações de média e baixa potência Os MOSFETs OptiMOS™ de canal P de 60V em pacote DPAK representam a nova tecnologia ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
BSZ063N04LS6

Corrente: 40 A
Tensão: 40 V

... MOSFETs de potência OptiMOS™ 6 que combinam o melhor RDS(on) da sua classe com um desempenho de comutação superior A família OptiMOS™ 6 power MOSFET 40V é otimizada para uma variedade de aplicações e ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPZA60R045P7

Corrente: 61 A
Tensão: 600 V

... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPB60R045P7

Corrente: 61 A
Tensão: 600 V

... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPW60R045P7

Corrente: 61 A
Tensão: 600 V

... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPP60R160P7

Corrente: 20 A
Tensão: 600 V

... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPAN60R180P7S

Corrente: 18 A
Tensão: 600 V

... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPAN60R360P7S

Corrente: 9 A
Tensão: 600 V

... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPZA60R024P7

Corrente: 101 A
Tensão: 600 V

... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como ...

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transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPW60R024P7

Corrente: 101 A
Tensão: 600 V

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